Contrôleur tactile capacitif à 3 canaux freescale/NXP Ic avec interface I2C MPR032EPR2
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Souligner:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Voir plus
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NXP USA Inc. LDMOS 1,93 GHz - 1,99 GHz Transistors montés sur châssis avec gain de 13 dB
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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Voir plus
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Fréquence 150 MHz NPN Transistor bipolaire 80 mA Courant maximal 50V Décomposition du collecteur 100mW Panasonic SSSMini3-F1
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Voir plus
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Transistor pré-biasé NPN discret 100mA 50V Monture de surface 200mW Puissance Panasonic MINI3-G3-B - Arrêté
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Voir plus
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FET RF de puissance LDMOS de 1000 W pour montage de châssis 110V 1,03 GHz double transistors NXP USA Inc.
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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Voir plus
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Surface Mount JFET Semiconductor 25V 15mA N Channel Discrete Components par NXP États-Unis Inc.
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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Voir plus
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NXP USA Inc. Transistor PDTA144VM en vrac actif pour les applications de tension
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150MHz NPN Transistor pré-biasé 50V Surface de panne montée Panasonic SMini3-F2 150mW Puissance
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Voir plus
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Les FET RF LDMOS 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5 dB de gain - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Voir plus
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NXP USA Inc. PDTA14 Transistor bipolaire discrète
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Dépassé NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Gain Transistor monté sur châssis
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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Voir plus
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Transistors LDMOS obsolètes NXP USA Inc. 2.69GHz 15.6dB Gain 28W Sortie Monture de châssis
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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Voir plus
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Composants électroniques Panasonic obsolètes UNR511 PNP Transistor pré-biasé pour une fréquence de transition de 80 MHz
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Voir plus
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NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N Canal TO-92-3 Transistors obsolètes pour les applications RF à 100 MHz
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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Voir plus
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NXP USA Inc. PNP Transistor bipolaire pré-biasé 50V Voltage de panne 250mW Puissance SMT3 Monture de surface
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Voir plus
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NXP USA Inc. PNP Transistor pré-biasé SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Discrète
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Voir plus
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Montage de surface FET RF LDMOS 65V 24W Sortie de puissance 1,88 GHz Double configuration de fréquence NXP NI-780S-4L
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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Voir plus
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Transistors à montage de châssis de 1,99 GHz de 22 W LDMOS RF FET - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Voir plus
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NXP USA Inc. 1.99GHz 65V LDMOS Monture de châssis RF FETs 24W Transistors
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Voir plus
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Transistors à semi-conducteurs à montage de châssis NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Voir plus
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