Chine igbt transistor des usines

Transistor IGBT bipolaire, transistor d'IRG4IBC30S 1.7V de la Manche IGBT de TO-220 N

Module de changement de transistor d'IGBT Transistor bipolaire isolé universel de porte Module de transistor du silicium IGBT

Prix: Negotiable

MOQ: 1

Heure de livraison: Negotiable

Marque: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

ISO14001,ISO13485 Année de création:2008 Manufacturer

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Modules IGBT automobiles FS50R12W2T7P Modules IGBT 1200V Modules de transistors IGBT

Modules des véhicules à moteur 400A d'IGBT Module d'alimentation de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Module 1200V de poudre d'IGBT

Prix: Contact for Sample

MOQ: 10

Heure de livraison: 3-5 work days

Marque: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Distributeur/grossiste

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Conducteur SCALETM-2 IGBT de la Manche IGBT de DUA et transistor du noyau IGBT de conducteur de transistor MOSFET

circuit de conducteur de module d'igbt Modules de gestion de puissance circuit de conducteur de porte d'igbt

Prix: Negotiation

MOQ: 24PCS

Heure de livraison: 1WEEK

Marque: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Année de création:1998 Manufacturer

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La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode

transistor bipolaire isolé de porte diode de commutation à grande vitesse phototransistor de silicium de npn

Prix: Negotiate

MOQ: 10pcs

Heure de livraison: 1-3Days

Marque: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd

Certificate of ATFU Brand,Business License Année de création:2012 Distributeur/Wholesaler

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Le transistor/puissance de TO-247 90A 600V IGBT a isolé le transistor bipolaire de porte

transistor de transistor MOSFET de canal de n transistor à haute tension de transistor MOSFET transistor de transistor MOSFET de smd

Prix: negotiable

MOQ: 5PCS

Heure de livraison: 1-2 working days

Marque: IR/Thinkchip

G-Resource Electronics Co.,Ltd

iso9001,iso14001 Année de création:2009 Fabricant

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Module industriel de transistors du module FS150R12KE3 IGBT de la puissance élevée IGBT d'Eupec

module de puissance intelligente igbt à haute fréquence modules d'igbt de Fuji

Prix: Negotiable

MOQ: 1pcs

Heure de livraison: 0-2 days

Marque: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.

Année de création:2014 Distributeur/Wholesaler

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Transistor de la Manche IGBT du silicium N de transistor de transistor MOSFET de puissance de RJH60F7ADPK

transistors de puissance de silicium transistor multi d'émetteur transistor MOSFET IC de puissance

Prix: Negotiate

MOQ: 20pcs

Heure de livraison: 1 day

Marque: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.

CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Année de création:2004 Distributeur/Wholesaler

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Transistor IGBT Fourniture de fusion de coquille d'acier haute sécurité Temps de fusion court

Fours à induction au cuivre Fours à fréquence moyenne Fours à coquille en acier

Prix: Negotiable

MOQ: Negotiable

Heure de livraison: Negotiable

Marque: Huarui

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.

GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Année de création:2011 Fabricant

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Les transistors IGBT sont des transistors de type IGBT qui sont utilisés pour les circuits électroniques.

IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung L'IC a intégré la puce VFBGA-63 DRACHME 4GBIT du micron ISSI Samsung

Prix: $1.10/pieces 1-999 pieces

MOQ: Negotiable

Heure de livraison: Negotiable

Marque: ORIGINAL

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Authority certificate,ISO Année de création:2015 Manufacturer

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Transistors IGBT polyvalents pour la pile de charge

Invertisseur solaire Igbt Invertisseur de puissance IGBT Semi-conducteur d'IGBT

Prix: Inquire

MOQ: Inquire

Heure de livraison: 2-30days(Depends on the quantity of the order)

Marque: LX

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Année de création:2012 Fabricant Vendeur

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SIEMENS - MODULE FZ1200R16KF4 1200 de 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V

module de redondance de diode module d'interface analogique module d'alimentation d'énergie de PLC

Prix: Negotiable

MOQ: Negotiable

Heure de livraison: Negotiable

Marque: SIEMENS

Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD

Année de création:2010 Importer

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MODULE DE SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

API SIEMENS SIMATIC API sans interruption SIMATIC CARTE D'ENTRÉE ANALOGIQUE SIEMENS

Prix: Negotiable

MOQ: 1pc

Heure de livraison: 2-3 days

Marque: SIEMENS

Wuhan Sean Automation Equipment Co.,Ltd

Année de création:2016 Distributeur/Grossiste

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Pile de charge Transistor IGBT multifonctionnel de haute puissance pour OBC

IGBT industriel à haute puissance IGBT à haute fréquence stable Chargeur ultra rapide IGBT

Prix: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Heure de livraison: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marque: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

REACH of Package-1,ISO9001 Année de création:2007 Manufacturer

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Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

Module de transistor d'IGBT Infineon Discrète IGBT Module IGBT Sic

Prix: Negotiable

MOQ: Negotiable

Heure de livraison: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Année de création:2021 Fabricant Exporteur Vendeur

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IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

Transistor MOSFET de puissance d'Infineon HEXFET La Manche 55V 30A du transistor MOSFET N transistor MOSFET de puissance de 55V 30A HEXFET

Prix: Negotiated

MOQ: 10pieces

Heure de livraison: 2-15days

Marque: Infineon Technologies/International Rectifier IOR

Angel Technology Electronics Co

Année de création:2006 Fabricant

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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.

Le numéro de téléphone: SKY65313-21 Fabricants de modules igbt Module igbt de 900 MHz

Prix: Email us for details

MOQ: 1pcs

Heure de livraison: 1day

Marque: StarPower

Wisdtech Technology Co.,Limited

environmental management system,Occupational health and safety system Vendeur

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Transistor de puissance de l'arrêt IGBT de zone de commande de circuit FGH60N60SMD 600V 60A

igbt power transistor mosfet power module high power igbt module

Prix: negotiable

MOQ: 30 pieces

Heure de livraison: 1-2 working days

Marque: Fairchild/ON

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

ISO9001,ISO14001 Année de création:1995 Distributeur/grossiste

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haute fréquence simple de transistor d'opération de dispositif de chauffage par induction de 160kw IGBT

unité de chauffage par induction four de chauffage par induction Equipement de chauffage par induction

MOQ: 1 set

Heure de livraison: 5-7 working days after receiving advanced payments

Marque: Lanshuo

Zhengzhou Lanshuo Electronics Co., Ltd

CE,ISO9001 Année de création:2003 Fabricant

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China igbt transistor

Transistor IGBT bipolaire, transistor d'IRG4IBC30S 1.7V de la Manche IGBT de TO-220 N

Modules IGBT automobiles FS50R12W2T7P Modules IGBT 1200V Modules de transistors IGBT

Conducteur SCALETM-2 IGBT de la Manche IGBT de DUA et transistor du noyau IGBT de conducteur de transistor MOSFET

La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode

Le transistor/puissance de TO-247 90A 600V IGBT a isolé le transistor bipolaire de porte

Module industriel de transistors du module FS150R12KE3 IGBT de la puissance élevée IGBT d'Eupec

Transistor de la Manche IGBT du silicium N de transistor de transistor MOSFET de puissance de RJH60F7ADPK

Transistor IGBT Fourniture de fusion de coquille d'acier haute sécurité Temps de fusion court

Les transistors IGBT sont des transistors de type IGBT qui sont utilisés pour les circuits électroniques.

Transistors IGBT polyvalents pour la pile de charge

SIEMENS - MODULE FZ1200R16KF4 1200 de 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V

MODULE DE SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

Pile de charge Transistor IGBT multifonctionnel de haute puissance pour OBC

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.

Transistor de puissance de l'arrêt IGBT de zone de commande de circuit FGH60N60SMD 600V 60A

haute fréquence simple de transistor d'opération de dispositif de chauffage par induction de 160kw IGBT

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