Transistor de puissance de silicium
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Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
Prix: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Heure de livraison: 1 - 2 Weeks
Marque: OTOMO
Souligner:Transistor de puissance de silicium de GV, Composants électroniques de transistor de la puissance élevée PNP, transistor de puissance du silicium 160V
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE Ÿ Switching and Amplification in High Voltage Ÿ Applications such as Telephony Ÿ Low Current Ÿ High Voltage ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 2N5401 TO-92 Bulk 1000pcs/Bag 2N5401-TA TO-92 Tape 2... Voir plus
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transistor de puissance du transistor de puissance du silicium 600mA NPN à forte intensité
Prix: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Heure de livraison: 1 - 2 Weeks
Marque: OTOMO
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SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors A42 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage Marking :D965A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 310 V VCEO Collector-Emitter Voltage 305 V VEB... Voir plus
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fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse
Prix: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Heure de livraison: 1 - 2 Weeks
Marque: OTOMO
Souligner:transistor de puissance du silicium 200v, Fuite de transistor de puissance de silicium basse, Basse fuite de transistor à forte intensité
MMBD1501A LOW LEAKAGE DIODE SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURE Low Leakage High Conductance Marking :A11 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Typical Characterisitics Package Outline Dimensions Symbol Dimensions In ... Voir plus
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