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GaN Epitaxial Wafer

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Chine GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser à vendre

GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur plaquette de saphir SSP résistivité ~ 10Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN   Les propriétés électriques du GaN dopé au Mg de type p sont étudiées par des mesures d'effet Hall à température variable.Des échantillons avec une gamme de concentrations de... Voir plus
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Chine Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm à vendre

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Voir plus
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Chine 625um 675um 4 au saphir plat bleu de pouce LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP à vendre

625um 675um 4 au saphir plat bleu de pouce LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Voir plus
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Chine 2 pouces de LED verte GaN sur la plaque de silicium Dimension 520±10nm à vendre

2 pouces de LED verte GaN sur la plaque de silicium Dimension 520±10nm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:2 pouces de GaN sur une gaufre en silicium, LED vert GaN sur la plaque de silicium, 520 nm de GaN sur une gaufre de silicium
GaN LED verte 2 pouces sur plaquette de silicium   Aperçu Le nitrure de gallium (GaN) crée un changement innovant dans le monde de l'électronique de puissance.Depuis des décennies, les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) à base de silicium font partie intégrante du monde m... Voir plus
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Chine 10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique à vendre

10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrate monocristallin de GaN non dopé, GaN Single Crystal Substrate libre, Substrate à cristal unique GaN de type N
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN de C-visage de ² de 10*10.5mm < 0=""> Aperçu Substrats en cristal de GaN de qualité de la meilleure qualité avec la basse densité de dislocation (sur l'ordre de 105 /cm2) et la surface d'uniforme sans des défauts p... Voir plus
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Chine 10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer à vendre

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrat de monocristal de GaN, 10*10, 5 mm2 GaN Substrate à cristal unique
le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit la résistivité libre de type SI de substrat de monocristal de GaN > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm Aperçu Nous nous vendons directement de l'usine, et pouvons donc offrir les meilleurs prix sur le marché pour les substrats en cristal de haute qua... Voir plus
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Chine 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm à vendre

10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Position libre GaN Substrates, 10 x 10, 5 mm2 Substrats de GaN
10*10.5mm² C-face Substrat monocristallin autonome de type n non dopé Résistivité < 0.1 Ω·cm Dispositif de puissance/laser     Applications Diodes laser : LD violet, LD bleu et LD vertAppareils électroniques de puissance, Appareils électroniques haute fréquence   Plus de 10 ans d'expérience... Voir plus
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Chine TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm à vendre

TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Laser W GaN Substrate à cristal unique, Dispositif de puissance GaN Substrate monocristallin, Substrate à cristal unique GaN en position libre
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0=""> AperçuLa nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur large très dur et mécaniquement stable de bandgap. Avec une plus haute résistance de panne, la vitesse plus rapidement de chang... Voir plus
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Chine Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm à vendre

Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrate à cristal unique de 10 μm GaN, Substrat de monocristal de GaN
5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN < 0=""> AperçuLe substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatri... Voir plus
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Chine 5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique à vendre

5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:0.1 Ω·cm GaN Substrate à cristal unique, 5*10mm2 GaN Substrate à cristal unique
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10.5mm2 (10-11) < 0=""> Les réseaux antagonistes génératifs (GANs) sont des architectures algorithmiques qui emploient deux réseaux neurologiques, piquant un contre l'autre (ainsi le « antagoniste ") a... Voir plus
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Chine 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm à vendre

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:GaN Single Crystal Substrate libre, 5x10mm2 GaN Substrate à cristal unique
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10mm2 (10-11) < 0=""> AperçuGaN a beaucoup d'avantages sérieux par rapport au silicium, étant davantage d'actionner efficace, plus rapide, et d'améliorer même des caractéristiques de récupération. Cep... Voir plus
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Chine Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face à vendre

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Appareils à RF GaN Substrate à cristal unique, 5*10mm2 GaN Substrate à cristal unique, Substrate à cristal unique GaN en position libre
résistivité libre de type SI non dopée de substrat de monocristal de GaN du M-visage 5*10mm2 > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm AperçuLes gaufrettes minces d'Epi sont utilisées généralement pour des dispositifs de MOS de bord d'attaque. Epi épais ou gaufrettes épitaxiales multicouche... Voir plus
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Chine SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2 à vendre

SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:00, 05 Ω·cm GaN Substrate à cristal unique, Substrate monocristallin de GaN non dopé
5*10mm2Face SP (11-12) Substrat monocristallin de GaN autonome de type n non dopé Résistivité < 0,05 Ω·cm Dispositif de puissance/plaquette laser   AperçuParce que les transistors GaN sont capables de s'allumer plus rapidement que les transistors au silicium, ils sont capables de réduire les p... Voir plus
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Chine Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm à vendre

Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:0.1 Ω·cm GaN Substrate à cristal unique, Substrate à cristal unique de 10 μm GaN, 5x10mm2 GaN Substrate à cristal unique
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10mm2 (11-12) < 0=""> AperçuDepuis les années 1990, il a été employé généralement dans des diodes électroluminescentes (LED). La nitrure de gallium dégage une lumière bleue utilisée pour la disque-lec... Voir plus
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Chine 5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm à vendre

5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:00, 05 Ω·cm GaN Substrate à cristal unique, 10 mm2 GaN Substrate à cristal unique, 20 à 21 GaN Substrate monocristallin
5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN < 0=""> AperçuUn réseau antagoniste génératif (GAN) a deux parts : Le générateur apprend à produire des données plausibles. Les exemples produits deviennent des exemples s'exerçant... Voir plus
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Chine Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact à vendre

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch GaN DIRIGÉ PAR vert sur la gaufrette de silicium Aperçu La nitrure de gallium (GaN) crée un décalage innovateur dans tout le monde de l'électronique de puissance. Pendant des décennies, les transistors MOSFET basés sur silicium (transistors à effet de champ de semiconducteur métal oxyde... Voir plus
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Chine laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde à vendre

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch GaN DIRIGÉ PAR bleu sur la gaufrette de silicium La nitrure de gallium est une technologie des semiconducteurs utilisée pour la puissance élevée, applications à haute fréquence de semi-conducteur. La nitrure de gallium montre plusieurs caractéristiques qui le rendent meilleur que la G... Voir plus
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Chine Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF à vendre

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: Nanowin
Souligner:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
Substrat monocristallin de GaN autoportant de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces Résistivité> 106Appareils RF Ω·cm   Aperçu Plaquettes épitaxiales de nitrure de gallium (GaN) (épi-wafers).Plaquettes de transistors à haute mobilité électronique GaN (HEMT) sur différents substrats tels qu'un... Voir plus
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Chine laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED à vendre

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 pouces GaN MG-enduit de type p sur la gaufrette SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, gaufrette épitaxiale de saphir de PIN Pourquoi employez GaN Wafers ? La nitrure de gallium sur le saphir est le matériel idéal pour l'amplification par radio d'énergie. Elle offre un certain nombre d'avant... Voir plus
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Chine GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN à vendre

GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur plaquette de saphir SSP résistivité > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN   Par exemple, le GaN est le substrat qui rend possible les diodes laser violettes (405 nm), sans utiliser de doublage de fréquence optique non linéaire.Sa sensibilité aux ... Voir plus
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